В фотоэлектрических датчиках используются 3 вида фотоэффекта (под фотоэффектом понимается явление изменения свойств вещества при изменении его освещенности):
внешний фотоэффект, состоящий в том, что под влиянием световой энергии происходит вылет электронов (эмиссия) из катода электронной лампы; величина тока эмиссии зависит от освещенности катода;
внутренний фотоэффект, состоящий в том, что активное сопротивление (электропроводность) полупроводника находится в зависимости от его освещенности;
вентильный фотоэффект, заключающийся в том, что между слоями освещаемого проводника и неосвещаемого полупроводника, разделенных тонким изоляционным слоем, возникает электродвижущая сила, величина которой зависит от освещенности.